Блог им. nevil

Итоги Army Games 2020. Нанореволюция в РФ будет от Чемезова (оборонка). (Чубайс слился)

    • 07 сентября 2020, 17:03
    • |
    • nevil
  • Еще
Нано в 2024, за $10,6 млрд.
До 2024 года на развитие отечественной микроэлектроники потребуется 798 млрд руб. ($10,6 млрд) инвестиций. Проект дорожной карты по развитию отрасли разработал «Ростех».
Ожидаемый вклад государства — 615 млрд руб., а внебюджетные средства составят 102,6 млрд руб.

Включает разработку чипов с топологическими нормами
  • 65 (55) нм,
  • 28 нм,
  • 14 нм и
  • твердотельных накопителей данных с топологической нормой 25–30 нм.
------------------------------
Рубеж масштабирования:
На рубеже 20 нм произошло изменение – традиционные плоские транзисторы выбрали весь свой ресурс.

С 2011 года производители перешли на finFET, что позволило масштабировать устройства далее.
В 2011 году Intel перешла на finFET на 22 нм, а затем на 16 нм/14 нм.
В 2018 году TSMC начала производство первых finFET на 7 нм, за ней последовала Samsung.
Однако finFET дороже в производстве.

finFET исчерпают свои возможности, когда ширина затвора достигнет 5 нм.
finFET на техпроцессах 5 нм/3 нм уже упираются в этот предел.
finFET перестанут масштабироваться, и производителям чипов придётся перейти на новые транзисторы, а именно на нанолистовые FET (новые архитектуры транзисторов — GAA-транзисторы).
.
Другой путь оптимизации — компоновка чипов. Вместо того, чтобы запихивать все функции на один кристалл, предполагается разбивать устройства на более мелкие кристаллы и интегрировать их в передовые корпуса.
------------------------------
Сейчас:
  • TSMC — тайваньская компания начала разработку 2-нанометровой нормы производства чипов и процессоров GAA FET (технологию кольцевого затвора [gate-all-around FET, GAA FET]). У TSMC будет finFET на 3 нм в 3-м квартале 2021 года, GAA от TSMC появятся в 2022-2023 годах.
.
Разработка GAA в TSMC отстаёт от Samsung на 12-18 месяцев.
  • Сейчас Samsung и TSMC делают finFET на 7 нм, и в этом году планируют переделать finFET на 5 нм. — это самая современная технология.
GAA-транзисторы: В 2017-м Samsung представила Multi Bridge Channel FET (MBCFET) на 3 нм. Пробные образцы начнут производить уже в 2020 году, а промышленный выпуск начнётся в 2022-м.
.
  • Intel только-только освоил 10 нм.
-----------------------------------
Что дает технология:
По сравнению с 7 нм,
finFET на 5 нм от Samsung дадут
25% увеличение логической площади, и
20% уменьшение потребления энергии или
10% увеличение скорости.
.
finFET на 5 нм от TSMC предлагает
скорость на 15% больше при том же энергопотреблении или
уменьшение энергопотребления на 30% при той же скорости,
с увеличением логической плотности в 1,84 раза
-----------------------------------
По деньгам:
  • Стоимость проектирования чипа на 3 нм составляет $650 млн ;
  • $436,3 млн для устройства на 5 нм и
  • $222,3 млн для устройства на 7 нм.
Это стоимость такой разработки, после которой через год технология уже уходит в производство.
9 комментариев
имхо поздно нам этим заниматься. тяпками надо учиться махать как вьетнамцы. пробовали уже сделать чипмейкера. пока разворовывали и буксовали — технологии устарели, рынки ушли на новый тех процесс, целый завод стал просто неактуален. ну и ВЭБ всё списал, а завод закрыл.

Ангстрем—Т

В 2005 году была основана компания «Ангстрем-Т» с целью строительства завода по производству микросхем по технологическим нормам 130-90 нм, с перспективой развития и перехода на уровень 65 нм[7]. Ее владельцем стал министр связи России Леонид Рейман (был министром до 2008 года). В 2008 году компания получила кредит Внешэкономбанка в размере 815 млн евро с целью начала производства в 2012 году. Однако сроки были сорваны и производство удалось запустить лишь в 2018 году по 90-нанометровой технологии.

В январе 2019 года ВЭБ забрал 100 % акций завода «Ангстрем-Т», потребовав погасить кредит и подав иск о банкротстве[8]. В октябре «Ангстрем-Т» был признан банкротом.[9][10]

avatar
trader_notes, Из проекта следует, что закупки оборудования у иностранных компаний не предполагаются.  
avatar
 А еще мне нравятся круглые цифры в проекте:
800 млрд руб.
$10 млрд.
avatar
nevil, я в курсе, как в ростехе пишутся обоснования. участвовал. так и пишутся ровными цифрами, считаются по принципу «сколько хочу умножить на 3». дальше все зависит от того, что насколько «вхож». если хорошо «вхож» дадут и не порежут, средне «вхож» порежут, но дадут, мало «вхож» не дадут, совсем не «вхож» не дадут и твою должность порежут )))

ничего вменяемого у бывших контрразведчиков не получится, не их это. получится только одно — пиз… ть бабки.
avatar
u-gyn, так это изначально распильный проект. там и не предполагается, что что-то получится, кроме роспила.
avatar
Хороший пост но есть пара моментов:
Какое резюме — Покупайте АФК или что????

когда ширина плавника достигнет 5 нм.

Слепые авто переводчики могут навредить имиджу.

«Затвор» — это называется.
По деньгам:
  • Стоимость проектирования чипа на 3 нм составляет $650 млн ;
  • $436,3 млн для устройства на 5 нм и
  • $222,3 млн для устройства на 7 нм.

Можно и за миллиард спроектировать чип, а реальные цифры есть за сколько в России проектируют чипы на 20 и 40нм без учета лицензий?
Пост про Россию ведь.
Вопрос естественно риторический.

Дополню еще реальными данными — Стоимость завода удваивается при уполовинивании проектной нормы — т.е. Микроновский завод SFab 180-90 — стоит 2млрд,  на 60-45нм будет 4млрд(готовый для сбора) соотв завод на 14нм стоит больше 10млрд.
$10,6млрд это мало. Такие дела.
avatar
Сергей,  насчёт завода — так его никто строить и не будет. это бабки под списание.
avatar
это шутка или бред?
avatar
тема чубайса не раскрыта. куда он слился? раньше земля налетит на небесную ось. скорее я поверю, что ему ещё ярдов 300 дадут.
avatar

теги блога nevil

....все тэги



UPDONW