Итоги Army Games 2020. Нанореволюция в РФ будет от Чемезова (оборонка). (Чубайс слился)

Нано в 2024, за $10,6 млрд.
До 2024 года на развитие отечественной микроэлектроники потребуется 798 млрд руб. ($10,6 млрд) инвестиций. Проект дорожной карты по развитию отрасли разработал «Ростех».
Ожидаемый вклад государства — 615 млрд руб., а внебюджетные средства составят 102,6 млрд руб.

Включает разработку чипов с топологическими нормами

• 65 (55) нм,
• 28 нм,
• 14 нм и
• твердотельных накопителей данных с топологической нормой 25–30 нм.

------------------------------
Рубеж масштабирования:
На рубеже 20 нм произошло изменение – традиционные плоские транзисторы выбрали весь свой ресурс.

С 2011 года производители перешли на finFET, что позволило масштабировать устройства далее.
В 2011 году Intel перешла на finFET на 22 нм, а затем на 16 нм/14 нм.
В 2018 году TSMC начала производство первых finFET на 7 нм, за ней последовала Samsung.
Однако finFET дороже в производстве.

finFET исчерпают свои возможности, когда ширина затвора достигнет 5 нм.
finFET на техпроцессах 5 нм/3 нм уже упираются в этот предел.
finFET перестанут масштабироваться, и производителям чипов придётся перейти на новые транзисторы, а именно на нанолистовые FET (новые архитектуры транзисторов — GAA-транзисторы).
.
Другой путь оптимизации — компоновка чипов. Вместо того, чтобы запихивать все функции на один кристалл, предполагается разбивать устройства на более мелкие кристаллы и интегрировать их в передовые корпуса.
------------------------------
Сейчас:

• TSMC — тайваньская компания начала разработку 2-нанометровой нормы производства чипов и процессоров GAA FET (технологию кольцевого затвора [gate-all-around FET, GAA FET]). У TSMC будет finFET на 3 нм в 3-м квартале 2021 года, GAA от TSMC появятся в 2022-2023 годах.

.
Разработка GAA в TSMC отстаёт от Samsung на 12-18 месяцев.

• Сейчас Samsung и TSMC делают finFET на 7 нм, и в этом году планируют переделать finFET на 5 нм. — это самая современная технология.

GAA-транзисторы: В 2017-м Samsung представила Multi Bridge Channel FET (MBCFET) на 3 нм. Пробные образцы начнут производить уже в 2020 году, а промышленный выпуск начнётся в 2022-м.
.

• Intel только-только освоил 10 нм.

-----------------------------------
Что дает технология:
По сравнению с 7 нм,
finFET на 5 нм от Samsung дадут
25% увеличение логической площади, и
20% уменьшение потребления энергии или
10% увеличение скорости.
.
finFET на 5 нм от TSMC предлагает
скорость на 15% больше при том же энергопотреблении или
уменьшение энергопотребления на 30% при той же скорости,
с увеличением логической плотности в 1,84 раза
-----------------------------------
По деньгам:

• Стоимость проектирования чипа на 3 нм составляет $650 млн ;
• $436,3 млн для устройства на 5 нм и
• $222,3 млн для устройства на 7 нм.

Это стоимость такой разработки, после которой через год технология уже уходит в производство.