про наши наработки микроэлектроники (многабукаф
![]()
)
Уже в конце 2017-го года было выделено 300 млн. рублей и Национальным исследовательским университетом МИЭТ в сотрудничестве с ОАО «Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения» и привлечением следующих соисполнителей:
Институт физики микроструктур РАНАО «Завод ПРОТОН»ООО «Микрофотоника»ООО «СЕРТАЛ»АО «Научно-исследовательский институт точного машиностроения»ООО «Нанопромимпорт»
был выполнен проект по теме «Разработка источника мягкого рентгеновского излучения на основе матрицы микрофокусных рентгеновских трубок для безмасочного литографа с разрешением лучше 10 нм».
Цель проекта — поиск альтернативных методов безмасочной литографии, обеспечивающих одновременно и достаточную для индустриальных применений производительность, и нанометровое пространственное разрешение. Впервые предложен новый метод бесшаблонной нанолитографии, в которой в качестве «электронной» маски выступает микросхема микрофокусных рентгеновских трубок с «прострельной» мишенью.
Работы по проекту продолжались около трёх лет и были закончены 30 июня 2020 года. Правда, они не будут положены в основу создания первого литографа, поскольку для него, как мы позже увидим, будет использоваться не матрица микрофокусных рентгеновских трубок, а более классический вариант — синхротронный или плазменный источник излучения плюс микрозеркала. Думаю, это обусловлено большей проработанностью второго варианта, чем «альтернативного» первого, не дающего, видимо принципиальных преимуществ.
Первой ласточкой был проект с шифром «Филлит-А», который выполнил ФТИАН им. К.А. Валиева РАН. Проект назывался «Разработка технического облика динамической маски на основе чипа микрозеркал для бесшаблонной литографии в рентгеновском диапазоне». Проводились работы по нанесению диэлектрического покрытия методом атомно-слоевого осаждения на микрооптоэлектромеханические системы (МОЭМС).
В установке безмасочной рентгеновской литографии МОЭМС выполняет функцию фотошаблона: топология чипа кодируется состоянием МОЭМС-пикселей (микрозеркал), отражающих лучи, идущие от источника излучения, и формирующих изображение на фоторезисте. Использование МОЭМС облегчено тем, что в России уже есть их производство.
Рразмер пикселя у серийно выпускаемых России МОЭМС составляет около 10×10 мкм. Специалисты считают, что возможно, создать МОЭМС и с размером пикселя 4 мкм, хотя для этого нужно решить ряд проблем.
Затем был проект с шифром «Филлит-А2», который на основе предыдущего проекта «Филлит-А» выполнил ИФМ РАН. Проект назывался «Определение технической возможности и путей создания ключевых элементов рентгеновской оптики для бесшаблонной литографии».
В ходе выполнения проекта были оптимизированы условия нанесения, материалы и толщины диэлектрического атомно-слоевого покрытия на МОЭМС микрозеркал. Было получено 18 образцов МОЭМС с нанесенным атомно-слоевым покрытием, пригодных для дальнейшего использования в рамках проекта, и не менее пяти кремниевых пластин с нанесенным атомно-слоевым покрытием.
Затем был проект «Филлит-А3», информации по которому мне найти не удалось. Если у кого-нибудь есть информация по этому проекту и соответствующие ссылки, прошу оставить их в комментариях, было бы очень интересно ознакомиться. Хорошо бы найти госзакупки по всем трём шифрам — у меня этого почему-то не получилось.
И вот совсем недавно, 28 сентября 2021 года, на торговой площадке «Росэлторг» появился примечательный лот на 670 млн. рублей от Министерства промышленности и торговли Российской Федерации: НИР (научно-исследовательская работа) «Разработка установки безмасочной рентгеновской нанолитографии на основе МЭМС (микроэлектромеханической системы) динамической маски для формирования наноструктур с размерами от 13 нм и ниже на базе синхротронного и/или плазменного источника», шифр «Рентген-Литограф».
Сроком завершения работ значится 30 ноября 2022 года. Результатом работ будет разработка ТЗ (технического задания) на ОКР (опытно-конструкторские работы).
Чуть подробнее этот лот я описал в прошлой статье «Будут ли в России делать оборудование для производства чипов по нормам 28 нм и менее?», посмотрите, довольно интересно.
29 октября 2021 года заказ достался Национальному исследовательскому университету «Московский институт электронной техники». При этом, согласно конкурсной документации, он обязан заключить с Фондом перспективных исследований безвозмездный лицензионный договор на использование в своей научно-исследовательской работе научно-технических результатов и результатов интеллектуальной деятельности, полученных в рамках аванпроектов Фонда перспективных исследований (шифр «Филлит-А», «Филлит-А2», «Филлит-А3»), о которых я рассказывал выше. То есть, видно, что идёт последовательная работа во вполне определённом направлении.
По сути, это уже исследование возможности разработки безмасочного рентгеновского литографа для формирования элементов по проектным технологическим нормам 28 нм и 16 нм.
Вполне вероятно, что скоро в рф появится альтернатива клпссической масочной литографии.
В общем, всё идёт к тому, что в районе 2024-2025 годов (по моим оценкам) у России будет свой первый прототип безмасочного литографа для производства чипов по нормам 28 нм и 16 нм, а работы по дальнейшему уменьшению техпроцесса, несомненно, продолжатся.
