Китай совершил прорыв и вышел за пределы кремниевой электроники. Первый работающий процессор на технологии менее 1нм
На этой неделе в журнале Nature китайские учёные опубликовали работу, в которой сообщили о выходе за пределы кремния при производстве чипов. Полноценный 32-битный RISC-V-процессор был изготовлен на слое полупроводника толщиной в одну молекулу — не более 1 нм. Но что самое важное — производство не требует EUV-сканеров и обходится доступным Китаю литографическим оборудованием.
Источник изображения: Nature 2025
Около 20 лет исследователи занимаются графеном как материалом, который может вывести производство микросхем на новый уровень производительности и эффективности. Однако графен в чистом виде — это проводник. Изготовить с его помощью транзисторы, например с использованием нанотрубок, — почти как сварить пресловутую кашу из топора: необходимо множество других ингредиентов и процессов. Проблему мог бы решить атомарно тонкий полупроводник, но такие пока не открыты. Зато ряд молекул полупроводников может располагаться тонким слоем, близким к толщине отдельных атомов. Одной из таких молекул является дисульфид молибдена (MoS₂). За счёт гексагональной молекулярной структуры слой MoS₂ не толще 1 нм.
Учёные из Национальной лаборатории интегральных схем и систем Университета Фудань около пяти лет разрабатывали техпроцессы с использованием дисульфида молибдена, включая нанесение этого материала из паровой фазы на подложки. Сообщается, что они, как минимум, научились наносить слои MoS₂ на подложки из сапфира, на которых начали изготавливать работающие атомарно тонкие схемы. Примерно 70 % оборудования для производства чипов на слоях MoS₂ заимствовано у обычного производства кремниевых пластин. Это означает, что разработанный учёными техпроцесс может быть запущен в производство с относительно скромными затратами на модернизацию.
В конечном итоге исследователи создали массив инверторов 30 × 30. При этом они обошли ограничения MoS₂, который позволяет изготавливать транзисторы только одной проводимости — n-типа. В молекулы MoS₂ невозможно внести примеси для создания транзисторов с другой проводимостью, чем позволяет исходный материал. Поэтому напряжения затворов определялись проводниками под ними. В частности, были использованы алюминиевые и золотые контакты.На основе изготовленных инверторов учёные смогли собирать электронные цепи из базового набора 25 электронных компонентов. Общая схема содержала 5900 работающих транзисторов. Частота их была невелика — несколько килогерц. Однако чип Wuji выполнял весь спектр 32-разрядных инструкций RISC-V. Это самый крупный в истории процессор на атомарно тонком полупроводнике, уверяют разработчики. И это первый серьёзный шаг за пределы кремниевой электроники.
3dnews.ru/1120830/kitay-vivel-chipi-za-ramki-kremniya-32bitniy-riscvprotsessor-sozdan-na-poluprovodnike-atomarnoy-tolshchini
и в смазку идёт
и у нас в авиации (для обработки заслонок форсунок, хвостовых юбок, лопастей турбин, замена вольфрама при легировании) хорош,
теперь ищо и процы и него бацают.
ваистену это прорыв без раскачьки!))
www.forbes.ru/tehno/budushchee/13405-grafen-materiya-tolshchinoi-v-atom
Россия всех делает в сфере графена, штаты и шведы скоро совсем падут.
тока в отличии от русских физиков, процессор у китайцев есть))
Понятно — там куча имён кроме двух, всех наций
zanauku.mipt.ru/2020/12/10/predystoriya-grafena/
Занятно, где Новосёлов, звания. Почти Новосельцев
Погрузчик- это расходы, погрузчик имеет ограниченный ресурс работы. Обычные грузчики всегда выгодней техники.
Россия до 1917 года была прибыльной только потому, что не имела никаких механизмов, только лошадь и рабочий, всё остальное для дела изготовлялось топориком из ёлки.
Индустриализация, американские станки, машинки и вы в долгах, как в шелках.
Вывод: В сложившихся условиях нужно забыть о машинках и механизмах.
А не первоапрельская ли это шутка, которая начала жить своей жизнью и пошла гулять по интернету?
Когда сейчас пишут про нанометры — это давно не про размер элементов на кристалле, а про точность их исполнения.
Когда говорят, что процессор выполнен по технологии X нанометров (10нм, 7нм, 5нм, 4нм, 3нм), то это означает, что минимальная ширина линии, которую мог сделать литограф имеет ширину X нанометров. Но реальные размеры элементов (транзисторов, диодов, конденсаторов) больше, многократно больше чем X. Размеры элементов последние годы мало меняются.
Точность исполнения позволяет плотнее упаковать элементы на кристалле, что позволяет увеличить количество элементов на одном квадратом миллиметре, а также снизить потери за счёт уменьшения длины дорожек, соединяющих элементы. Но энергопотребление у чипов в целом растёт, потому что потребление самих элементов (те же транзисторов) меняется мало, но за счёт более плотной упаковки их становится больше.